Dengan modal 4 buah MOSFET-N atau 2 set saja tanpa pasangan sebenarnya anda juga bisa membikin power ampli OCL dengan daya hingga 300 Watt seperti skema ampli buatan CARVIN ini.

Saya menemukan sebuah skema amplifier buatan CARVIN seri F600 / F300 buatan era 90-an.

Power ampli hanya menggunakan 1 jenis MOSFET saja tanpa komplemen nya.

Ini mirip dengan power transistor biasa yang menggunakan NPN saja atau PNP saja pada blok Transistor Final Output.

Penampakan amplifier bisa LIHAT DI SINI.

X

SKEMA

Berikut ini adalah skema hasil pangkas dan edit dari skema aslinya:

OCL 300 WATT 2 SET MOSFET-N
OCL 300 WATT 2 SET MOSFET-N

Dari skema di atas nampak bahwa rangkaian ini terdiri dari beberapa blok antara lain:

  • OPAMP balan to unbalance
  • Filter aktif untuk SubSonic / Subwoofer
  • OPAMP penguat tegangan
  • Servo Driver
  • Driver Amplifier
  • Current Limiter MOSFET
  • Final Power Amplifier

OPAMP pertama bertugas untuk mengubah isyarat masukan balan menjadi un balan dengan gaya penguat instrumentasi.

OPAMP yang kedua bertugas sebagai Filter aktif untuk meloloskan sinyal audio di atas 30 Hz

Q105 adalah transistor Servo Driver.

Q114 dan Q115 adalah transistor untuk driver amplifier.

Q117 dan Q118 adalah adapter sinyal untuk MOSFET.

Q100 dan Q106 adalah pembatas arus bagi MOSFET apabila terlalu besar mengalirkan arus AC ke speaker.

Q101 hingga Q104 adalah MOSFET untuk final power dan ke semuanya adalah type MOSFET-N.

PENJELASAN

Pada skema nampak bahwa masing- masing OPAMP adalah berbeda beda posisi. Maksudnya adalah antara OPAMP pertama dengan yang kedua adalah tidak dalam satu kemasan OPAMP.

OPAMP pada skema ini menggunakan type DUAL OPAMP yang Low Noise. Ketika anda membikin kloningan power ini, anda bisa menjadikan satu kemasan untuk 3 OPAMP ini seperti menggunakan IC nomer TL084 misalnya.

MOSFET nomer 33N20 menghasilkan daya hingga 180 Watt, namun hati-hati dengan type 33N20FI ia hanya menghasilkan daya hingga 80 Watt saja ( DATASHEETS ).

SKEMA YOHAN ( HERE )

Kiriman serupa

Tinggalkan Balasan

Alamat email Anda tidak akan dipublikasikan. Ruas yang wajib ditandai *